Fabrri-Perot (FP) lazerlari (dfb) {{3 Bo'shliq yuzasi va mayda-chuyda bo'shliq yuzasi va mayda-chuyda bo'shliq yuzasi (PHPB) {{PCESSESICE {{PRFESS) kabi bir vaqtning o'zida bir vaqtning o'zida bir vaqtning o'zida tarqatuvchi vositalar (PHPB). Kichkina divernment burchagi bilan yuqori quvvatli, bitta rejimdagi lazerni ishlab chiqarish uchun ikki o'lchovli fohisha kristallariga erishish uchun ikki o'lchovli fohisha kristallari.
Gallium Nitrid (GAN) -Sized yarimo'tkazgich materiallari yuqori yoritgichlar va ajoyib kimyoviy barqarkaga ega bo'lib, ularni yuqori yoritgichli suv uzunligi, masalan, eng yorqin ulug'vor spektrga ega bo'lib, ularda yuqori yoritgichlar, masalan, roman displey, lazer kabi. Yoritish, suv osti muloqot, yulduzlararo aloqa, chip atom soatlari, chuqur kosmik tadqiqotlar, atom radar va lazerli tibbiyot, keng tarqalgan e'tiborni jalb qiladi .
Rasm 1. Tarkibiy diagrammalar, odatiy ravishda ajralib chiqadigan Lazreylar, DFB EDGETERLAR, VCSELLAR va PCSES .
Professor Nodaning Kioto universiteti jamoasi birinchi bo'lib 1999 yilda PCSES kontseptsiyasini 902, 445 (2008) va 2024 yildagi "Nichia" kompaniyasining birinchi darajali in'ektsiyasini qo'llab-quvvatladilar. PCSELLAR . ko'k va yashil chiroq guruhlariga, hozirda faqat Yaponiya gran asosidagi shaxsiy bloklarning elektr in'ektsiyasi chiqarilishiga erishdi . .
Yaqinda Yarimo'tkazgich materiallari va chiplar va "Suzhou laboratoriyasi" asosiy laboratoriyasi bilan hamkorlikda, ikkalasi ham Graniy rangli kristalli sirtsiz sirtni ko'tarib chiqdi va. {}}
Tadqiqot guruhi birinchi bo'lib GAN asosidagi Shlapa qurilmasi tuzilmasini tuzdi, shunda granlikdagi kristalli materiallar (2-rasm) ga 400 × 400 mkm² o'lchami (2-rasm) . A burchakli spektroskopiya yordamida g-x yo'nalishi (3-rasm), shuni kuzatildi: in'ektsiya oqimining pastligi, guruh tuzilmasi aniq, Cning eng yuqori intensivligiga ega bo'lishi; Hozirgi o'sib ulg'aygan sari, B radiatsion bo'lmagan holatning intensivligi .} intensivligi shuni sezadi. Maskali BMning yarim baravariga yaqin vaqt ichida 05 nm 05 nm atrofida 05 metr atrofida cho'zilishi aniqlandi.
Rasm 2. GAN asosidagi PCSEL tuzilishi sxematik diagrammasi (b) Optik nasos sinovidan olingan fotik matolar testlari va (c) fotonik kristalli kristalli rasmlar va ({3}
FAQAT 3. gran asosidagi PCSELning (A-e) guruhi turli xil in'ektsiya oqimida va granda joylashgan Granning eng kengligi va granlik prankining kengligi in'ektsiyasining o'zgarishi va in'ektsiya mavjud bo'lgan o'zgarishini ko'rsatadi .
Yuqoridagi ishlarga asoslanib, tadqiqot jamoasi Xonadik fotonik sirtli kristalli kristalli}}415} 415}} ning chegarasini, taxminan 13415}} ning chegarasi va eng yuqori chiqishi bilan bog'liq taxminan 170 MVt. Keyingi bosqichda jamoa yuqori darajadagi (10-100 Vt) yuqori rejim chiqishi (10-100 Vt) yuqori darajadagi (10-100 Vt) yuqori darajadagi (10-100 Vt) yuqori darajadagi (10-100 Vt) yuqori darajadagi (10-100 Vt) ni tayyorlash va qadoqlash / issiqlik boshqarmalari bilan yuqori sifatli nodon substratlaridan foydalanishni rejalashtirmoqda.
Rasm 4. gran asosidagi PCSEL: (a) turli in'ektsiya oqimlarida elektroluminal spektro, (d) . ni ishlab chiqarish va (d)
